Pengaruh Perancangan Gate Driver SiC Mosfet Terhadap Keandalan Sistem

Abstract

Pengendalian komponen elektronika daya diperlukannya driver pada gate sehingga diperlukannya perancangan gate driver bertujuan untuk memperkuat sinyal transmisi yang berasal dari control stage untuk memastikan switching yang sesuai dari power device, dalam perancangan harus memperhatikan rugi-rugi switching yang terjadi pada kondisi rise dan fall pada proses switching SiC Mosfet karena jika tidak dilakukan pemasangan gate resistance pada SiC Mosfet pada saat menjelang kondisi steady state terdapat lonjakan tegangan serta ripple yang cukup tinggi sehingga rugi-rugi daya semakin tinggi, oleh karena itu dilakukanny perlunya dilakukan penyesuaian terhadap nilai resistor yang dipasang pada gate SiC Mosfet baik dalam sisi on maupun off karena semakin kecil rugi-rugi switching maka perancangan gate driver semakin baik. Dalam penelitian ini digunakan model perancangan gate driver menggunakan analisis beban resistif dan beban induktif dengan rangkaian simulasi pabrik ROHM yang tertera dalam datasheet SiC MOSFET tipe sct2160ke yang disimulasikan menggunakan software TINA-TI. Dalam paper ini akan ditampilan hasil simulasi dan akan dilakukan analisis pengaruh gate resistance terhadap delay time on, delay time off, disipasi daya, dan switching energy measurement.